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国产澜起科技DDR4全缓冲架构纳入国际标准 正研发DDR5内存
发布日期:2019-06-06 浏览次数: 字号:[ ]
2019-06-06

在存储芯片领域,DRAM内存及NAND闪存的国产率都基本是0,技术及产能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、东芝等公司手中,尤其是高价值的DRAM内存芯片,三星、SK Hynix及美光三家公司占了全球95%的份额。

国内的DRAM内存芯片布局主要有合肥长鑫/兆易创新的内存芯片项目,福建晋华与台联电合作的内存项目由于被美国制裁而陷入了困境。除了DRAM芯片,国内还是一些公司主攻内存接口芯片,前不久宣布津逮系列国产X86处理器的杭州澜起科技就是其中之一,该公司正在申请国内的科创板上市,日前在招股书中披露了他们在DDR内存芯片上的技术进展及布局。

澜起科技成立于2004年,是全球内存接口芯片的主要供应商之一,凭借领先的技术水平,在DDR4阶段逐步确立了行业领先优势,公司2018年营业收入175,766.46万元,净利润73,687.84万元。

澜起科技发明了DDR4全缓冲“1+9”架构,最终被JEDEC国际标准采纳。公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术,为新一代服务器平台提供完全符合 JEDEC 标准的高性能内存接口解决方案,同时正积极参与DDR5 JEDEC 标准的制定,是全球可提供从DDR2到 DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一,在该领域拥有重要话语权。

目前,公司根据内存模组制造商的研发进度,积极布局研发DDR5存接口芯片,新一代产品能够有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。

根据澜起科技的公告,在内存接口芯片业务领域,为巩固公司的市场领先地位,澜起在未来三年完成第一代DDR5内存接口芯片的研发和产业化。 

文章来源:快科技

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